EMMI
1050/h
电子电器检测
漏电微光显微镜分析仪
芯片测试失效分析可靠性测试
北京 海淀区 北京市海淀区软件软广场3a 100085 负责人: Sunny, 联系人: Sunny电话: 13488683602, 手机:13488683602
传真: 01082825511-728, Email:360843328@qq.com
服务介绍:
主要用途 当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时,产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子,由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置,通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 u
性能参数 a)InGaAs检测器,分辨率:320*256 像素; b)侦测波长范围900nm - 1700nm c)像素尺寸:30um x 30um d)曝光时间 20ms - 400s e)放大倍率:25x, 50x, 200x ,1000x f)Back side EMMI u
应用范围 1.P-N接面漏电 2.饱和区晶体管的热电子 3.P-N接面崩溃 4.闩锁效应 5.氧化层漏电流产生的光子激发
成交记录:
评价记录:
咨询记录: